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ESD器件

ESD器件的主要应用领域

2019-03-20

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碳化硅电力电子器件的发展现状分析

富芯微电子有限公司产品普及:SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS结构二极管。目前,SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。

2018-02-22

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碳化硅

富芯微电子有限公司产品普及:碳化硅(SIC)是半导体界公认的“一种未来的材料”,是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5~10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅(SI)材料的负载量已到达极限,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。

2018-02-22

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石墨烯:硅代替材料 应用前景广阔

富芯微电子有限公司产品普及:石墨烯是一种由碳原子紧密排列而成的蜂窝状结构的二维晶体,看上去近似一张六边形网格构成的平面。它是目前已知最薄的一种材料,单层的石墨烯只有一个碳原子的厚度,属于纳米材料的一种。

2018-02-22

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光耦合器

富芯微电子有限公司产品普及:光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了"电-光-电"转换。

2018-02-22

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氮化镓

富芯微电子有限公司产品普及:GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

2018-02-22

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第十三届中国国际半导体照明论坛

富芯微电子有限公司产品普及:以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料已引发全球瞩目,成为全球半导体研究前沿和热点。第三代半导体具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、下一代射频和电力电子器件的“核芯”,在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、智能电网、轨道交通、雷达探测等领域有广阔的应用前景。预计到2020年,第三代半导体技术应用将在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元的潜在市场。

2018-02-22

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第三代半导体电力电子器件模组、封装和散热技术研讨会

富芯微电子有限公司产品普及:2016年1月12日下午,第三代半导体电力电子器件模组、封装和散热技术研讨会在北京召开,LED业内三安光电、鸿利光电、英飞凌等企业参加了研讨会。此次研讨会对基于第三代半导体的电力电子器件模组、封装和散热等主要技术的发展趋势和挑战的展开了激烈的讨论,对行业发展具有知道性意义。

2018-02-22

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合肥已纳入国家集成电路规划布局 未来将打造“中国IC之都”

富芯微电子有限公司产品普及:在智能手机、新型电视、虚拟现实影像、机器人等领域,“合肥造”芯片未来将有更多用武之地。昨日,合肥市“十三五”集成电路产业发展规划评审会召开,五年内合肥市集成电路产业企业将超过150家,年产值达到500亿元,成为全国最大的非数字芯片生产基地。

2018-02-22

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政策与资金齐推 集成电路股或“起飞”

富芯微电子有限公司产品普及:“2015中国集成电路产业促进大会”即将召开的消息,引发了A股市场的激烈反应。昨日,同方国芯、太极实业、上海贝岭、长电科技、扬杰科技、晶方科技等集成电路概念股批量涨停。此外,通富微电、三安光电等股票也是大涨逾8%。其中,宣布定增募800亿元投资集成电路业务的同方国芯,其股价自11月6日复牌以来已经累计上涨112.51%。有分析人士认为,“产业促进大会”仅仅是一个导火索,资金热炒的更深层次原因或源于集成电路诱人的产业前景。

2018-02-22

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